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作為生產(chǎn)MOS管的廠家，MOS管的沒項參數(shù)都必須熟悉與精通，下面就來介紹一下主要特性參數(shù)，大家在電路中基本都需要了解的。
場效應管的主要特性參數(shù)
場效應管的直流參數(shù)
1.夾斷電壓Up
在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個微小電流值(幾微安)時，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結型場效應管及耗盡型絕緣柵型場效應管。
2. 開啟電壓UT
在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強型絕緣柵型場效應管。
3. 飽和電流IDSS
在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場效應管。
4. 直流輸入電阻RGS
在場效應管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻比結型場效應管大兩個數(shù)量級以上。結型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源擊穿電壓BVDS
在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場效應管的使用電壓。
6. 柵源擊穿電壓BVGS
對結型場效應管來說，反向飽和電流開始劇增時的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對于絕緣柵型場效應管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。
場效應管的微變參數(shù)
<1.跨導gm
在漏源電壓UDS一定時，漏極電流ID的微量變化和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導，即
跨導是衡量場效應管柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力的一個參數(shù)，也是衡量場效應管放大作用的重要參數(shù)之一。
<2. 漏源動態(tài)電阻rDS
在柵灑、電壓一定時， UDS的微小變化量與ID的變化量之比，稱為漏源動態(tài)內阻rDS ,即
rDS的取值范圍一般為數(shù)千歐至數(shù)百千歐。
場效應管的其他參數(shù)
①極間電容。場效應管的三個電極間都存在著極間電容，即柵師、電容CGS、柵漏電容CGD和師、漏電容CDS。CGS和CGD一般為1 - 3pF , CDS約為0.1 - 1pF 。
②漏源最大電流IDM
它是指場效應管漏源極的允許通過的最大電流。
③場效應管耗散功率PD
它是指場效應管工作時所耗散的功率。
④低頻噪聲系數(shù)NF
場效應管的噪聲是由內部載流子運動的不規(guī)則性引起的。它的存在會使一個放大器即使在沒有信號輸入時，在輸出端也會出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流的變化。場效應管的低頻噪聲系數(shù)要比半導體三極管小。
