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引言
本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產率。
介紹
使用無切口硅蝕刻和第一金屬層的濕法清洗的最后通孔TSV工藝使用無切口硅蝕刻和第一金屬層的濕法清洗的最后通孔TSV工藝的流程圖。在這項研究中，最初的晶圓是8英寸。采用0.22微米CMOS技術制造的三層Al–Cu布線硅片。首先，8英寸的切邊。
使用116個TSV鏈模式來評估TSV產量. 每個TSV鏈模式包括20，000個tsv。
數字13 示出了TSV鏈圖案中tsv的數量和電阻之間的關系的示例。TSV鏈成功連接到20，000個TSV，并且TSV鏈圖案中每個節點的平均電阻較低。作為20，000個TSV的平均值獲得的TSV鏈電阻的可接受質量水平被設置為低于0.2ω/節點。在8英寸的情況下，TSV產量被確定為83%。即使每個芯片使用20，000個tsv。這一數值高于之前的一項研究。
結論
在這項工作中，開發了具有無切口硅蝕刻和第一金屬層濕法清洗的最后通孔TSV工藝。硅和二氧化硅之間的界面上的缺口是通過優化深硅蝕刻條件來抑制。用有機堿性溶液濕法清洗第一金屬層，以去除第一金屬層上的污染物。一些小型TSVs直徑:6米；TSV深度:22米；tsv的數量:20，000個/芯片)。發現tsv具有良好的電特性，在8英寸上具有高產量(83%)。威化。
因此，這種最后通孔TSV工藝在促進具有許多小tsv的高性能3D系統的開發方面顯示出巨大的潛力。
