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埃因霍溫-2021年7月5日-恩智浦半導(dǎo)體( NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克代碼：NXPI)宣布氮化鎵(GaN)技術(shù)集成到其多芯片模塊平臺(tái)中，即5G能效領(lǐng)域的重要行業(yè)里程碑。位于亞利桑那州的恩智浦GaN晶圓廠是美國(guó)最先進(jìn)的專業(yè)生產(chǎn)射頻功率放大器的晶圓廠，恩智浦率先推出5，基于公司對(duì)晶圓廠的大量投資G大規(guī)模MIMO射頻解決方案。該解決方案與G相結(jié)合aN多芯片模塊的高效性和緊湊性。
降低能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的主要目標(biāo)，每一個(gè)效率都至關(guān)重要。G用于多芯片模塊aN可在2.6 GHz將產(chǎn)品組合效率提高到頻率 52%，比公司上一代模塊高8個(gè)百分點(diǎn)。恩智浦在單個(gè)設(shè)備中使用專利組合LDMOS和GaN技術(shù)，進(jìn)一步提高性能，可提供400 MHz寬帶射頻設(shè)計(jì)只能用一個(gè)功率放大器完成。
恩智浦小尺寸5G多芯片模塊現(xiàn)在可以實(shí)現(xiàn)上述能效和寬帶性能。新的產(chǎn)品組合將幫助射頻開發(fā)人員減少基站射頻單元的尺寸和重量，并幫助移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商減少蜂窩塔和屋頂部署5G成本。模塊集成了多級(jí)發(fā)射鏈、50歐姆輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和Doherty設(shè)計(jì)，并且恩智浦現(xiàn)在使用其最新的SiGe該技術(shù)增加了偏置控制。這一新的集成步驟使得無(wú)需使用單獨(dú)的模擬控制IC，可以更嚴(yán)格地監(jiān)控和優(yōu)化功率放大器的性能。
恩智浦執(zhí)行副總裁兼無(wú)線電業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Paul Hart 說(shuō):恩智浦專門為5開發(fā)了G獨(dú)特的基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)工具箱，包括專有LDMOS、GaN和SiGe以及先進(jìn)的包裝和射頻設(shè)計(jì)IP。這使得我們能夠利用每個(gè)元件的優(yōu)勢(shì)，并以最優(yōu)的方式將這些優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來(lái)。
與上一代模塊一樣，新的器件均引腳兼容。射頻工程師可以在多個(gè)頻段和功率級(jí)擴(kuò)展單個(gè)功率放大器設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)周期時(shí)間，從而在全球加速推出5G。
供貨時(shí)間
恩智浦新型5G多芯片模塊將在第三季度提供樣品，并在今年晚些時(shí)候開始大規(guī)模生產(chǎn)。恩智浦將推出基于這些產(chǎn)品的RapidRF前端(參考)設(shè)計(jì)系列射頻模擬有助于加速5G系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
恩智浦的5G接入邊緣技術(shù)產(chǎn)品組合
恩智浦為加速5提供了強(qiáng)大的技術(shù)產(chǎn)品組合，從天線到處理器G部署，為基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)和汽車應(yīng)用提供一流的性能和安全性。包括恩智浦的Airfast射頻功率解決方案系列和Layerscape適用于無(wú)線數(shù)據(jù)鏈路、固定無(wú)線接入和小型基站設(shè)備。
