131 1300 0010
引言
濕化學蝕刻廣泛應用于制造半導體。在制造中，成膜和化學蝕刻的過程交替重復以產生非常小的鋁層。根據蝕刻層橫截面的幾何形狀，由于應力局部作用在蝕刻層上構造的層上，經常出現裂紋。因此，通過蝕刻產生具有所需橫截面幾何形狀的鋁層是重要的驅動環(huán)節(jié)之一。在濕化學蝕刻中，蝕刻劑通常被噴射到旋轉的晶片上，并且鋁層由于與蝕刻劑的化學反應而被蝕刻。我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的影響，并對蝕刻過程進行了數值模擬。驗證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結果一致，表明本數值模擬可以有效地預測蝕刻截面的幾何形狀。
實驗
試件在恒溫333k的靜止蝕刻劑中蝕刻。表1列出了實驗條件。在試件上，鋁層被濺射在硅上，鋁層被電阻屏蔽，如圖1a所示，鋁層的厚度和抗蝕劑的寬度分別用H和W表示。寬度W一般小于約50μm。Al層隨著時間的推移而被蝕刻，如圖1b所示。本文對具有三種抗阻寬度的試件進行了研究。
表1 實驗條件
圖1 蝕刻工藝
每1分鐘后從蝕刻劑中取出試件，觀察蝕刻過程。蝕刻試件涂上樹脂薄膜，然后由FIB(聚焦離子束）成型。薄膜涂層對于保護電阻劑免受FIB處理是必不可少的，使觀察電阻蝕劑對蝕刻截面的影響成為可能。采用空間分辨率為7nm的STM（掃描離子顯微鏡）進行觀察。
結果和討論
圖2顯示了抗蝕劑寬度為W=W1的試件的蝕刻截面照片。蝕刻時間為5分鐘。照片清楚地顯示了硅、鋁層、抗蝕劑和樹脂涂層的橫截面。Al的蝕刻區(qū)域到達了硅表面，蝕刻也進入了抗蝕劑邊緣下方的橫向方向。
圖2 蝕刻t=5分鐘的試件橫截面照片
數值模擬：
W=W1的Al層的模擬截面幾何形狀如圖3所示。其中蝕刻時間1、3和5分鐘的結果。并給出了蝕刻劑的濃度。結果發(fā)現，Al層隨著時間的推移而蝕刻，蝕刻也在抵抗邊緣下方的橫向進行。雖然濃度在t=1min時幾乎分布均勻，但隨著時間的推移，濃度在鋁表面附近的減少而減小。
圖3 模擬了W=W1下的橫截面和蝕刻濃度
總結
通過觀察和數值分析，研究了靜息蝕刻劑中半導體的濕式化學蝕刻過程。研究結果總結如下：（1）開發(fā)了一種觀察抗蝕劑和鋁層截面的方法，其中在涂上蝕刻表面后，使用FIB處理形成截面。（2）隨著時間的推移，蝕刻量增加。但增量減少了。這是因為蝕刻劑濃度由于化學反應而降低，也因為由于反應而出現非常小的氫氣泡。（3）隨著抗蝕劑寬度的增加，橫向蝕刻量增大。這是由于蝕劑容易擴散到蝕刻區(qū)域，因此發(fā)生活性反應。(4)通過以下步驟獲得的鋁層的橫截面數值模擬與觀測結果基本一致，表明本模擬可有效地用于預測蝕刻截面的幾何形狀。
