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10A、800V N溝道增強型場效應管
描述
SVF10N80F/K N 溝道增強型高壓功率 MOS 場效應晶體管采用士
蘭微電子 F-CellTM 平面高壓 VDMOS 工藝技術制造。先進的工藝及元
胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于 AC-DC 開關電源，DC-DC 電源轉換器，高 壓 H 橋 PWM 馬達驅動。
特點
? 10A，800V，RDS(on)(典型值)=0.92?@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開關速度快
? 提升了 dv/dt 能力
注：
1. L=30mH，IAS=7.50A，VDD=100V，RG=25?，開始溫度TJ=25?C;
2. VDS=0~400V，ISD<=10A， TJ=25?C;
3. VDS=0~480V;
4. 脈沖測試： 脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%；
5. 基本上不受工作溫度的影響。
品牌介紹：
杭州士蘭微電子股份有限公司（600460）坐落于杭州高新技術產業開發區，是專業從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州。2003年3月公司股票在上海證券交易所掛牌交易，是第一家在中國境內上市的集成電路芯片設計企業。得益于中國電子信息產業的飛速發展，士蘭微電子已成為國內規模最大的集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業之一，其技術水平、營業規模、盈利能力等各項指標在國內同行中均名列前茅。
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