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? ? ? ?mos管三個工作區(qū)為完全導通區(qū)、截止區(qū)、線性區(qū)
MOSFET工作區(qū)域的判定方法（NMOS）：
當 Vgs < Vth 時，截止區(qū)。
當 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 時，變阻區(qū)。
當 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 時，飽和區(qū)(恒流區(qū))。
其中 Vth 是 MOS管 的一個重要參數(shù)——開啟電壓。
當MOS管 工作在變阻區(qū)內時，其溝道是“暢通”的，相當于一個導體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時近似滿足V-I的線性關系，即有一個近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故稱變阻區(qū)域。
MOS管 工作在飽和區(qū)（恒流區(qū)）與 BJT 的飽和區(qū)不同，稱 MOS管此區(qū)為飽和區(qū)，主要表示 Vds 增加 Id 卻幾乎不再增加——也即電流飽和。其實在此飽和區(qū)內，MOS管 和 BJT 都處于受控恒流狀態(tài)，故也稱其為恒流區(qū)。
滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時，ip與uDs成線性關系，該區(qū)域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。
滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域，在該區(qū)域內，當uGs一定時，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時場效應管D、S間相當于一個受電壓uGs控制的電流源。場效應管用于放大電路時，一般就工作在該區(qū)域，所以也稱為放大區(qū)。
夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。
擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大，PN結因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時應避免管子工作在擊穿區(qū)。
轉移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點對應的i、Us值在ib- Uss 坐標中連成曲線，即得到轉移性曲線，如圖3（b）所示。
