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HEXMOS與管芯構造 ， 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠將口徑做得很大，這時分的水龍頭一般稱為“閥門”，當然也能夠用多個小口徑的水龍頭來替代，只是工程上很少這樣用。
功率晶體管恰恰采用的是第二種辦法，用無數個“小晶體管”構成更大功率的晶體管，假如是分立元件，這種辦法—般稱為“并聯”，關于單個晶體管，這種辦法稱為“多（單）元集成”。
HEXMOS就是門前最主流的一種MOSFET“管芯單元”的規劃方式(圖1. 20)，專利是美國IR公司的。由于“管芯單元”的規劃外形呈”Hcxagonal（六邊形）而得名。
圖1. 20所示的是N溝道的HEXFET的構造表示圖，圖中也畫出了電流的方向。由于MOSFET只能耐受比擬高的正向電壓，多數MOSFET曾經內置了維護二極管，這就是體二極管。關于體二極管，在后續章節中還會有細致引見。
需求闡明的是，這是一個3D構造，漏極和漏區在垂直方向。每一個六邊形單元并不是一個“管芯單元”，而是多個“管芯單元”的排列組合。這一點從電子顯微鏡照片上能夠更為分明地看到（圖1. 21）。
每一個并聯的“小晶體管”稱為“Cell”或者“Chip Cell"，普通中文材料都將其譯為“元胞”，本書則將它們稱為“管芯單元”，由于它們就是一個個完好的微型品體管。無論是小功率還是大功率晶體管，都包含不止一個這樣的“管芯單元”，只是數量不同而已。
最后封裝在一同的“管芯唯元”的匯合，就是“管芯”。“管芯單元”在“管芯”上的排列辦法與多個分立元件的晶體管并聯排列辦法有很大的不同，但是目的是相同的：優化電路規劃，減少占板面積。關于“管芯”而言，是在盡量小的硅片上包容盡量多的“管芯單元”。
雖然HEXFET是目前較為主流的規劃構造，為很多第"方制造商所采用，但也不是獨一的規劃。
