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場效應管有輸入阻抗高。由于柵源之間是SiO2層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。
驅動電流小。由于輸入阻抗高，VMOS管是一種壓控器件，一般有電壓就可以驅動，所需的驅動電流極小。
跨導的線性較好。具有較大的線性放大區域，與電子管的傳輸特性十分相似。較好的線性就意味著有較低的失真，尤其是具有負的電流溫度系數（即在柵極與源極之間電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小），故不存在二次擊穿所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到了廣泛的應用。
結電容無變容效應。VMOS管的結電容不隨結電壓而變化，無一般晶體管結電容的變容效應，可避免由變容效**致的失真。
頻率特性好。VMOS場效應管的多數載流子運動屬于漂移運動，且漂移距離僅1～1.5um，不受晶體管那樣的少數載流子基區過渡時間**，故功率增益隨頻率變化極小，頻率特性好。
開關速度快。由于沒有少數載流子的存儲延遲時間，VMOS場效應管的開關速度快，可在20ns內開啟或關斷幾十A 電流。
利用以上特點，我們總結歸納出了以下幾點常用的作用
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關。
