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根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出，受到高運(yùn)算量終端設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心需求的帶動(dòng)，2017年全球晶圓代工總產(chǎn)值約573億美元，較2016年成長(zhǎng)7.1%，全球晶圓代工產(chǎn)值連續(xù)五年年成長(zhǎng)率高于5%。
從應(yīng)用來(lái)看，高運(yùn)算量相關(guān)應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)先進(jìn)工藝的需求，2017年10nm工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始放量，估計(jì)2017年全年10nm節(jié)點(diǎn)營(yíng)收將占晶圓代工整體市場(chǎng)的6.5%。而2017年半導(dǎo)體整體產(chǎn)值年成長(zhǎng)率7.1%當(dāng)中，超過(guò)95%的成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自10nm的銷售貢獻(xiàn)，顯示10nm工藝的開(kāi)出成為2017年晶圓代工產(chǎn)值成長(zhǎng)最重要的引擎。
觀察2017年全球前十大晶圓代工業(yè)者排名，整體排名與2016年相同，臺(tái)積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電分居前三，其中臺(tái)積電產(chǎn)能規(guī)模龐大加上高于全球平均水平的年成長(zhǎng)率，市占率達(dá)55.9%，持續(xù)拉大與競(jìng)爭(zhēng)者的距離；全球排名第二的格羅方德受惠于新產(chǎn)能的開(kāi)出與產(chǎn)能利用率提升，2017年?duì)I收呈現(xiàn)年增8.2%的相對(duì)高成長(zhǎng)表現(xiàn)。
在晶圓代工市場(chǎng)排名第三的聯(lián)電于今年量產(chǎn)14nm，但僅占全年?duì)I收約1%，然而，在整體產(chǎn)能提升與產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)換帶動(dòng)下，實(shí)際營(yíng)收年成長(zhǎng)率達(dá)6.8%；而與臺(tái)積電同為10nm工藝技術(shù)先驅(qū)的三星(Samsung)，則因采用的大客戶僅有高通(Qualcomm)，致使成長(zhǎng)受限，排名第四；排名第五的中芯雖然持續(xù)擴(kuò)大資本支出，然而，受限于2017年實(shí)際開(kāi)出的產(chǎn)能有限與28nm良率的瓶頸未突破，使得成長(zhǎng)率低于全球市場(chǎng)平均。
高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)及華虹宏力則透過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)增，在市場(chǎng)對(duì)8吋廠需求持續(xù)暢旺下，帶來(lái)大于10%的年成長(zhǎng)；力晶則因調(diào)升代工業(yè)務(wù)比重，交出高成長(zhǎng)率成績(jī)單。
另一方面，在5G與電動(dòng)車的需求驅(qū)使下，可觀察到晶圓代工業(yè)者積極的投入第三代半導(dǎo)體材料GaN及SiC的開(kāi)發(fā)，如臺(tái)積電提供GaN的代工服務(wù)及X-Fab公布SiC晶圓代工業(yè)務(wù)將于2017第四季貢獻(xiàn)營(yíng)收。
展望2018年，除7nm先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)將帶動(dòng)整體產(chǎn)值之外，在2018年為5G試營(yíng)運(yùn)重要的觀察年下，第三代半導(dǎo)體的代工服務(wù)所帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈變化，同為市場(chǎng)值得關(guān)注的重點(diǎn)。
