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1.MOS管并聯(lián)的可行性分析
由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發(fā)熱比較嚴重，內阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)。
2.MOS管的并聯(lián)電路
理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯(lián)的一般電路圖如下
上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立的柵極驅動電阻隔離驅動，主要是可以防止各個MOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值過小，可能就起不到防止各個MOS管的寄生振蕩的作用，如果取值大了，開關速度會變慢，由于每個MOS管的結電容會有細微的不同，結果取值過大還會導致各個MOS管的導通速度相差比較大，所以R1-4在能夠防止各個MOS管的寄生振蕩的情況下盡量小到可以滿足開關速度。
關于R5-R8的柵極下拉電阻，主要作用是在驅動IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導通。在某些特殊的應用場合下，比如對待機電流有限制的電池保護板，這個電阻往往取值很大甚至沒有，這樣柵極的阻抗會比較高，極易感應比較高的靜電損壞MOS管的柵極。這種應用最好在柵源極之間并聯(lián)一個15V左右的穩(wěn)壓管。
3.MOS管的并聯(lián)對布線的要求
大家知道，多個MOS管并聯(lián)，漏極和源極的走線都需要通過多個MOS管的總電流，理論上計算，如果要達到單個MOS管的電流不偏移平均電流的10%，那么總線上的總阻抗一定要控制在所有MOS管并聯(lián)后的內阻的10%以內。比如過50A的電流，由我們的RU75N08R4顆并聯(lián),RU75N08典型是8mΩ,并聯(lián)后就是2mΩ，那么漏極或源極的走線電阻需要控制在2mΩ*10%=0.2mΩ以內才能保證10%的均流誤差。如果PCB銅箔厚度和寬度有限，我們可以加焊銅線或通過散熱片達到這個低的走線內阻。
