131 1300 0010
RY4927 雙P管，低內阻，SOP封裝MOS管，參數：-30V/-30V, 15MR內阻， SOP-8封裝
RY4927結合了先進的溝道MOSFET技術和低電阻封裝，以提供極低的Rds(on)。這種裝置是負載開關和電池保護應用的理想選擇。
漏源電壓（Vdss）：-30V 雙P管
25°C 時電流-連續漏極：(Id)9A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：15mΩ@8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000pF @ 15V
工作溫度：-55°C ~ +150°C（TJ）
功率-最大值：2W
封裝：8-SOIC
FET 類型：P-Channel
安裝類型：表面貼裝型
詳細資料參數聯系我們QQ或者微信獲取
